Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Средняя оценка

Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Сообщить об ошибке

Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 25

Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения

21 16.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

19.6 10.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 22
Скорость чтения, Гб/сек

16.1 21.0
Скорость записи, Гб/сек

10.1 19.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2764 4240

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Kingston 9965600-033.A00G 16GB

Kingston 9965600-033.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB

модули RAM

Kingston HP536727-H41-ELD 4GB

Kingston HP536727-H41-ELD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A

модули RAM

Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB

Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB

Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Apacer Technology D22.23263S.002 16GB

Apacer Technology D22.23263S.002 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB

Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB

модули RAM

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB

A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB

Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

модули RAM