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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
53
Autour de 53% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
53
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2366
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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