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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
53
Intorno 53% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
9.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20
16.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
53
Velocità di lettura, GB/s
16.1
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2366
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
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