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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparez
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Note globale
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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Raisons de considérer
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
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Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
65
Autour de -124% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
5.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
14900
Autour de 1.43 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
29
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.4
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
21300
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1370
3273
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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