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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
43
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
38
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
2663
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
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Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB Comparaison des RAM
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
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