RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
43
Autour de -26% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
34
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
2920
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link