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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
43
左右 -26% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
34
读取速度,GB/s
14.9
13.8
写入速度,GB/s
9.6
11.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2920
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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