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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
43
左右 -26% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
34
读取速度,GB/s
14.9
13.8
写入速度,GB/s
9.6
11.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2920
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calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
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