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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
77
左右 -166% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
29
读取速度,GB/s
3,405.2
18.3
写入速度,GB/s
2,622.0
15.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3584
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
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