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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
43
Autour de -10% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
39
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
2571
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
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