RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
43
Autour de -59% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
27
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
2418
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link