RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
43
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
27
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
2773
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link