RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
43
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2773
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link