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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
43
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
26
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
2382
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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