RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
43
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2382
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link