RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
40
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2233
3529
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link