Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Средняя оценка

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Причины выбрать
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Сообщить об ошибке

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

18 40

Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.4 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

18.1 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 18
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 20.4
Скорость записи, Гб/сек

7.3 18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2233 3529

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB

Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB

Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 9905701-011.A00G 16GB

Kingston 9905701-011.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB

A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Kingston DDR2 PC800MHz 2GB

Kingston DDR2 PC800MHz 2GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB

Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB

модули RAM