RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
26
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
26
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2926
2382
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link