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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Confronto
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
26
Intorno 31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
18
26
Velocità di lettura, GB/s
17.7
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
13.1
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2926
2382
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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