RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
43
Autour de -79% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
24
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
2440
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link