RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
43
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2440
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link