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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
43
Autour de -13% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
38
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
2148
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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