Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

総合得点

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

総合得点

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

14.9 14.2

テスト平均値

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

38 43

周辺 -13% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

10.3 9.6

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 12800

周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

43 38
読み出し速度、GB/s

14.9 14.2
書き込み速度、GB/秒

9.6 10.3
メモリ帯域幅、mbps

12800 21300

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2506 2148

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB

Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB

Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB

Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston HX421C14FB/4 4GB

Kingston HX421C14FB/4 4GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB

Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

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Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB