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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
26
周辺 8% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
15.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
8.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5% 高帯域
考慮すべき理由
Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
26
読み出し速度、GB/s
16.0
15.2
書き込み速度、GB/秒
12.5
8.5
メモリ帯域幅、mbps
19200
12800
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
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Frequency (Mhz) *
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