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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
26
Autour de 8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR3
Latence dans PassMark, ns
24
26
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
12800
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
1939
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Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB Comparaison des RAM
AMD R744G2606U1S 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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