RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
77
Autour de -141% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2979
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CML8GX3M1A1600C9 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link