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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Différences
Spécifications
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
43
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
33
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
2913
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Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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