RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
52
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
52
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
2236
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link