RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
52
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
52
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
10.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2236
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link