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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Raisons de considérer
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
43
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
28
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
3552
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
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