RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
43
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
34
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
3343
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link