RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
43
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
20.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3343
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link