RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.3
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
20.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3343
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link