RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3742
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link