RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
15.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
19.4
Скорость записи, Гб/сек
15.7
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3867
3726
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link