Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB

Note globale
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Note globale
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A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB

A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 16.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,123.3 left arrow 13.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    40 left arrow 59
    Autour de -48% latence réduite
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 6400
    Autour de 3 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR5
  • Latence dans PassMark, ns
    59 left arrow 40
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,833.8 left arrow 16.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,123.3 left arrow 13.5
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    731 left arrow 3014
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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