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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
59
Por volta de -48% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR5
Latência em PassMark, ns
59
40
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
13.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3014
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
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A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB Comparações de RAM
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A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
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