RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
59
70
Autour de 16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
70
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
1971
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link