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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
59
70
Por volta de 16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
70
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
8.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
1971
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
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