RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
59
Autour de -157% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3070
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link