RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
13.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
59
Por volta de -157% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
13.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3070
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link