RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
59
Autour de -64% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3449
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link