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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
59
左右 -64% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
36
读取速度,GB/s
4,833.8
17.1
写入速度,GB/s
2,123.3
14.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3449
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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