RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
59
Autour de -90% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3222
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link