RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
59
Autour de -90% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3222
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link