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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
12.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
59
Por volta de -90% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
12.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3222
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
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