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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
39
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
39
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
10.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
2159
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
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