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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
39
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
39
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
10.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
2159
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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