RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
39
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
39
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
14.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2159
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link