RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
59
Autour de -127% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
26
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3733
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link