RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
59
Intorno -127% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
26
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3733
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link