Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB

Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    39 left arrow 73
    Intorno -87% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.6 left arrow 6.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.8 left arrow 3.2
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    73 left arrow 39
  • Velocità di lettura, GB/s
    6.1 left arrow 13.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    3.2 left arrow 7.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1004 left arrow 1940
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