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Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Confronto
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
73
Intorno -87% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
3.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
73
39
Velocità di lettura, GB/s
6.1
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
3.2
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1004
1940
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
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