Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

总分
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Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB

Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB

总分
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    39 left arrow 73
    左右 -87% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    13.6 left arrow 6.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    7.8 left arrow 3.2
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    73 left arrow 39
  • 读取速度,GB/s
    6.1 left arrow 13.6
  • 写入速度,GB/s
    3.2 left arrow 7.8
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1004 left arrow 1940
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